科技日報北京11月4日電 （記者陳丹）由美國國防部高級研究計劃局資助的兩個小組分別開展的人體測試表明，通過植入電極提供腦部刺激，模仿創(chuàng)建和儲存記憶的腦電模式，可以提高患者的記憶力。該研究成果有望用于研制能自動增強衰退記憶力的“神經(jīng)假體”，從而幫助那些腦部受傷的士兵或者因中風及其他原因而記憶力受損的人。

　　據(jù)《自然》網(wǎng)站3日報道，短期記憶轉(zhuǎn)化為長期記憶的關(guān)鍵，是海馬體CA3區(qū)的信號能夠傳遞到CA1區(qū)。南加州大學生物工程師西奧多·伯格的研究小組開發(fā)了一種算法，能夠讓植入電極模仿CA3信號刺激CA1細胞，正確率可達80%。猴子實驗證明，該方法提高記憶力效果良好。他們還在一位女性癲癇患者身上進行了測試，但目前要判斷她的記憶力是否有所改善還為時尚早。未來幾個月中，他們還計劃進行更多的人體測試，希望最終開發(fā)出一種設(shè)備，能檢測出海馬體將短期記憶編碼為長期記憶的功能何時失效，并提供刺激以支持這一轉(zhuǎn)化過程。

　　波士頓大學的神經(jīng)生物學家霍華德·艾肯鮑姆提醒說，如果CA1細胞受損嚴重，有可能無法對刺激作出正常反應；另外，海馬體非常復雜，接收的訊息很多，僅用CA3信號刺激可能還不夠。

　　而賓夕法尼亞大學神經(jīng)科學家丹尼爾·里祖托的小組則采取了不同的方法。他們發(fā)現(xiàn)，刺激癲癇患者的內(nèi)側(cè)顳葉（海馬體就位于其中），有助改善受損的記憶，但如果記憶力正常，刺激卻會產(chǎn)生反作用。該小組也開發(fā)了一種算法，能以較高的精準度預測一個人能否記住一個給定的詞。當參與實驗的癲癇患者在朗讀那些有可能被遺忘的單詞時，對他們施以腦部刺激，可將他們的記憶力提高140%。

　　賓夕法尼亞大學心理學家邁克爾·卡納說，研究小組已經(jīng)記錄了約80人的大腦活動，并正就使用一種更精確的電極陣列尋求監(jiān)管部門的批準。

　　總編輯圈點

　　本實驗從功能說是增強記憶力，但本質(zhì)卻是研發(fā)腦機接口，即通過精確控制電信號刺激人腦，像給硬盤寫入數(shù)據(jù)一樣，向大腦寫入信息，最終實現(xiàn)生物腦與芯片腦的融合，讓我們在睡夢之中都可以學習。這是目前最前沿和熱門的研究領(lǐng)域，不斷有新成果出現(xiàn)，也不斷加深人們對“大腦竊賊”“思想控制”等安全問題的擔憂，因此從治療疾病入手更像是一種務實選擇。但隨著技術(shù)發(fā)展，可能任何人群都無法抵制腦機接口帶來的誘惑。