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6英寸碳化硅單晶襯底研制成功

  • 發(fā)布時間:2014-12-26 05:59:59  來源:經(jīng)濟(jì)日報  作者:佚名  責(zé)任編輯:羅伯特

  近日,中國科學(xué)院物理研究所北京凝聚態(tài)物理國家實(shí)驗(yàn)室(籌)先進(jìn)材料與結(jié)構(gòu)分析實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊人員與北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司合作,成功研制出了6英寸碳化硅(SiC)單晶襯底。據(jù)悉,碳化硅是制造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件的理想襯底。圖為研究人員在一幅演示碳化硅物理原理的圖表前展示6英寸碳化硅單晶襯底。

  新華社 金立旺攝

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