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6英寸碳化硅單晶襯底研制成功[組圖]

  • 發(fā)布時間:2014-12-19 01:31:02  來源:科技日報  作者:佚名  責(zé)任編輯:羅伯特

  近日,中國科學(xué)院物理研究所北京凝聚態(tài)物理國家實(shí)驗(yàn)室(籌)先進(jìn)材料與結(jié)構(gòu)分析實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)人員與北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司合作,成功研制出了6英寸碳化硅(SiC)單晶襯底。

  據(jù)悉,碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料,是制造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件的理想襯底。

  上圖 科研人員在測量6英寸碳化硅單晶襯底的尺寸(12月9日攝)。

  下圖 中國科學(xué)院物理研究所陳小龍研究員在一幅演示碳化硅物理原理的圖表前展示6英寸碳化硅單晶襯底(12月17日攝)。新華社記者 金立旺攝

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