科技日?qǐng)?bào)訊 （高冰洋 記者王春）10月23日，第十一屆長三角科技論壇院士圓桌會(huì)議在上海舉行。來自中國科學(xué)院、中國工程院、長三角地區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)、高校的80位嘉賓與會(huì)，共商長三角地區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新問題。

　　隨著新材料、新技術(shù)的發(fā)展，一個(gè)硅片上的晶體管數(shù)量每18個(gè)月就可以翻一倍。在現(xiàn)代存儲(chǔ)裝置中，每個(gè)記憶單元之間的距離可以縮小到22納米。但是，科學(xué)家們也很快遇到技術(shù)瓶頸。由于經(jīng)典物理極限，晶體管不可能無限制地靠近，而科學(xué)界目前又無法找出可代替硅芯片的新材料，這一現(xiàn)象被中國工程院院士許居衍稱為“晚硅時(shí)代”

　　在“晚硅時(shí)代”，飛速發(fā)展的集成電路出現(xiàn)了技術(shù)放緩的拐點(diǎn)，而拐點(diǎn)處的主要問題在于解決從22納米到8納米極限進(jìn)程中的功能耗散問題。集成電路每縮減一個(gè)數(shù)量級(jí)都要解決功耗問題，來提高它的性能。2011年，美國弗吉尼亞聯(lián)邦大學(xué)開發(fā)出了世界上能耗最低的集成電路，整個(gè)電路所需的能量比傳統(tǒng)晶體管要小4個(gè)數(shù)量級(jí)。但為了滿足新一代信息技術(shù)發(fā)展的需求，降低集成電路功耗的問題仍然亟待解決。而這對(duì)我國集成電路產(chǎn)業(yè)則是一次協(xié)同創(chuàng)新、“彎道超車”的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。

　　據(jù)悉，2012年，由上海市政府主導(dǎo)，復(fù)旦大學(xué)牽頭，聯(lián)合長三角集成電路的優(yōu)勢單位共同組建了“長三角集成電路設(shè)計(jì)與制作協(xié)同創(chuàng)新中心”，主要圍繞國家及長三角區(qū)域集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸和下一代共性關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)問題。對(duì)于長三角區(qū)域集成電路企業(yè)創(chuàng)新能力起到了積極地推動(dòng)作用。