中新網(wǎng)12月4日電 三星電子近日宣布，將在全球首家推出128GB DRAM內(nèi)存。該產(chǎn)品采用3D立體硅穿孔封裝技術(shù)，容量和速度提升2倍，能耗減少50%。已經(jīng)正式進(jìn)入量產(chǎn)。

　　據(jù)悉，在這個(gè)小小的內(nèi)存芯片中，三星內(nèi)置了 144 個(gè)芯片，形成了 36×4GB DRAM 封裝，每個(gè)封裝中有 4×8Gb 芯片，而且該內(nèi)存芯片采用了三星最先進(jìn)的 20毫微米工藝制造。

　　因此，128GBTSV DRAM模塊不僅容量大，而且還滿足超高速、超省電、高安全性等綠色I(xiàn)T的要求，是面向企業(yè)級(jí)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的解決方案。

　　相比于傳統(tǒng)的引線連接多芯片封裝方式，TSV(硅穿孔)技術(shù)能夠大大減少半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中的引線使用量，降低工藝復(fù)雜度，從而提升速度、降低功耗、縮小體積。

　　尤其與采用引線連接封裝方式的64GBD RAM 模塊相比，128GB TSV DRAM模塊的速度高達(dá)2，400Mbps，而功耗則減少了50%。

　　而且，三星電子計(jì)劃在年內(nèi)量產(chǎn)采用TSV技術(shù)的 “128GB DDR4 LRDIMM”， 并提高20納米8GB DRAM的生產(chǎn)比例，以此進(jìn)一步加強(qiáng)競爭力。

　　三星電子內(nèi)存事業(yè)部戰(zhàn)略營銷組CHO JOO SUN 副社長表示：“ 得益于128GB DRAM模塊的量產(chǎn)，我們才能及時(shí)上線幫助全球IT客戶提高投資效率的下一代服務(wù)器系統(tǒng)。今后，我們會(huì)擴(kuò)大客戶和技術(shù)合作范圍，加快全球IT市場的發(fā)展，讓消費(fèi)者享受更加便利的服務(wù)。”

　　在過去20年，三星始終保持存儲(chǔ)器行業(yè)世界領(lǐng)先的位置。三星半導(dǎo)體不僅在中國引入最先進(jìn)的技術(shù)，同時(shí)建設(shè)完整的產(chǎn)業(yè)鏈，不斷地自我創(chuàng)新和自我超越。

　　4月15日，三星電子(蘇州)半導(dǎo)體有限公司新型生產(chǎn)線“I LINE”竣工。而在一天之前的4月14日，三星(中國)半導(dǎo)體有限公司在西安也隆重舉行了封裝測試生產(chǎn)線竣工投運(yùn)儀式。

　　據(jù)了解，三星在韓國的華城建有存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)基地，在韓國的溫陽和中國的蘇州運(yùn)行有存儲(chǔ)芯片的封裝測試中心。而位于西安高新區(qū)綜合保稅區(qū)的三星(中國)半導(dǎo)體有限公司4月14日竣工的封裝測試生產(chǎn)線，是將前工程生產(chǎn)出的V-NAND閃存，在這里經(jīng)過封裝測試等工序制成固態(tài)硬盤(SSD)。這標(biāo)志著三星(中國)半導(dǎo)體有限公司將成為集存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)、封裝、測試于一體的半導(dǎo)體綜合生產(chǎn)園區(qū)。

　　兩天之內(nèi)，三星半導(dǎo)體在中國的兩家工廠生產(chǎn)線先后竣工，這不僅意味著三星半導(dǎo)體全業(yè)態(tài)生產(chǎn)鏈在中國正式形成，也意味著三星在中國的發(fā)展戰(zhàn)略正不斷朝著高端制造以及高科技轉(zhuǎn)移。