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三星量產(chǎn)20納米8Gb DDR4服務(wù)器用DRAM

  • 發(fā)布時(shí)間:2014-10-29 01:31:00  來源:科技日報(bào)  作者:佚名  責(zé)任編輯:羅伯特

  三星電子通過持續(xù)不斷的創(chuàng)新和探索,憑借在智能手機(jī)、平板電腦、個(gè)人電腦、LTE通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、半導(dǎo)體和LED解決方案等領(lǐng)域的深厚積累,正在引領(lǐng)全球的智能化發(fā)展。近日,三星電子宣布已開始量產(chǎn)全球首款20納米8Gb DDR4企業(yè)級服務(wù)器用DRAM。今年下半年適用于DDR4的服務(wù)器中央處理器已經(jīng)上市,此時(shí)量產(chǎn)該款DRAM產(chǎn)品將推動高端服務(wù)器市場從DDR3向DDR4的轉(zhuǎn)換。

  基于20納米8Gb DDR4的服務(wù)器用DDR4內(nèi)存模塊,與基于DDR3的模塊相比,數(shù)據(jù)傳送速度提升了約30%,實(shí)現(xiàn)了2400Mbps的超高性能。同時(shí),相對于DDR3模塊的1.5伏工作電壓,新產(chǎn)品只需1.2伏電壓,因而耗電量也更低。

  此外,如果只基于現(xiàn)有的4Gb DRAM,最多只能生產(chǎn)出容量為64GB的內(nèi)存模塊。然而如果結(jié)合此次推出的8Gb DRAM和今年8月三星電子全球首先投入量產(chǎn)的硅通孔封裝技術(shù),那么則可以生產(chǎn)出最大容量為128GB的內(nèi)存模塊,從而進(jìn)一步推動高密度DRAM市場的發(fā)展。此次推出的20納米8Gb DDR4 DRAM滿足了推動下一代企業(yè)級服務(wù)器市場發(fā)展所需的三大要素,即高性能、高密度和高節(jié)能。

  三星電子在今年3月成功量產(chǎn)全球首款20納米PC用DRAM之后,至今仍是業(yè)內(nèi)唯一一個(gè)有能力量產(chǎn)20納米DRAM的企業(yè)。此后,三星電子繼而在今年9月推出20納米移動DRAM,加之此次推出的20納米服務(wù)器用DRAM,三星已經(jīng)構(gòu)建了足以引領(lǐng)“20納米DRAM新紀(jì)元”的完整的產(chǎn)品線。

  今后,通過把生產(chǎn)效率高的4Gb產(chǎn)品用于PC,封裝小且芯片堆疊層數(shù)少的6Gb產(chǎn)品用于移動設(shè)備,大容量的8Gb產(chǎn)品用于服務(wù)器,三星電子將會根據(jù)用途對各種容量的DRAM產(chǎn)品進(jìn)行優(yōu)化組合,以差別化的產(chǎn)品戰(zhàn)略引領(lǐng)DRAM市場的發(fā)展。(和利)

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